ICP-CVD相关论文
Aiming to achive the high RF performace AlGaN/GaN HEMT by suppress current collapse and decresing the parasitlic paramet......
Addition of Ar, He, and Ne gases on the characteristics of SiH4+H2 ICP plasma and the resultant thin
Hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si∶H) films were prepared using ICP-CVD system attached with four internal U-s......
本文通过对荣华二采区10...
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜,用拉曼谱对样品的结构进行了表征,502cm?1附近散射峰的出现说明在样品中......
Electron field emission from nano-crystalline Si films deposited by inductively coupled plasma CVD a
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
利用单圈内置式ICP-CVD方法在室温下制备了Si薄膜。在拉曼光谱、原子力显微镜（AFM）对样品结构分析的基础上，采用对样品结构无损伤的椭......
电感耦合等离子体（ICP）是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源，已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得......
低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路。然而，传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、......
用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)方法在室温下制备Si薄膜.用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分......
使用感应耦合等离子体化学气相沉积（Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD）方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长......
测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学......
制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICP-CVD设备,利用硅烷和氮气作......
硅薄膜是常用光学薄膜材料之一,由于其工艺简单,制作成本较低,可选衬底较多,同时兼容硅半导体工艺,因此在太阳能电池应用中具有广......
氢化非晶硅碳材料(a-Si1-xCx：H)是一种宽带隙非晶半导体材料，其光学带隙可以通过组分调制的，人们可以根据不同的应用目的制备出不同光......
